A method of fabrication used for semiconductor integrated circuit devices
to define a thin copper fuse at a top via opening, in a partial etch, dual
damascene integration scheme, efficiently reducing top metal thickness in
a fusible link, for the purpose of laser ablation. Some advantages of the
method are: (a) avoids copper fuse contact to low dielectric material,
which is subject to the thermal shock of laser ablation, (b) increases
insulating material thickness over the fuse using better thickness
control, and most importantly, (c) reduces the copper fuse thickness, for
easy laser ablation of the copper fuse, and finally, (d) uses USG, undoped
silicate glass to avoid direct contact with low dielectric constant
materials.
Een methode van vervaardiging die voor halfgeleider de apparaten van geïntegreerde schakelingen wordt gebruikt om een dunne koperzekering bij een bovenkant te bepalen via het openen, in gedeeltelijk etst, de dubbele regeling van de damasceneintegratie, efficiënt verminderend hoogste metaaldikte in een smeltbare verbinding, voor laserablatie. Sommige voordelen van de methode zijn: (a) vermijdt het contact van de koperzekering aan laag diëlektrisch materiaal, dat aan de thermische schok van laserablatie onderworpen is, (b) verhoogt het isoleren materiële dikte over de zekering gebruikend betere diktecontrole, en belangrijkst, vermindert (c) de dikte van de koperzekering, voor gemakkelijke laserablatie van de koperzekering, en tenslotte, (d) gebruik USG, undoped silicaatglas om direct contact met lage diëlektrische constantematerialen te vermijden.
