A problem associated with the programming of MRAM (magnetic random access
memory) has been that the required current is orders of magnitude larger
than that needed for many other memory devices such as SRAMs or DRAMs.
This problem has been overcome by adding heating lines to the standard
array configuration. These lines provide local heating sources located in
close proximity to the memory elements so that when a given element is
being programmed it is also being heated. The effect of the heating is to
lower the threshold for magnetization so that a lower field (and hence
reduced program current) can be used. It is also possible to make the base
layer of the memory element itself serve as the heating element.
Un problema si è associato con la programmazione di MRAM (memoria di accesso casuale magnetica) è stato che la corrente richiesta è ordini di grandezza più grandi di quello stato necessario per molti altri dispositivi di memoria quali SRAMs o i dRAMs. Questo problema è stato superato aggiungendo le linee del heating alla configurazione standard di allineamento. Queste linee forniscono le fonti di calore locali situate nella prossimità vicina agli elementi di memoria in modo che quando un dato elemento sta programmando inoltre stia riscaldando. L'effetto del heating deve abbassare la soglia per magnetizzazione in moda da potere usare un campo più basso (e la corrente quindi ridotta di programma). È inoltre possibile fare lo strato basso del serv dell'elemento in se di memoria come l'elemento riscaldante.
