A magnetic switching element includes: a ferromagnetic layer which is
substantially pinned in magnetization in one direction; and a magnetic
semiconductor layer provided within a range where a magnetic field from
the ferromagnetic layer reaches, where the magnetic semiconductor layer
changes its state from a paramagnetic state to a ferromagnetic state by
applying a voltage thereto, and a magnetization corresponding to the
magnetization of the ferromagnetic layer is induced in the magnetic
semiconductor layer by applying a voltage to the magnetic semiconductor
layer.
Un elemento magnetico di commutazione include: uno strato ferromagnetico che è appuntato sostanzialmente nella magnetizzazione in un senso; e uno strato magnetico a semiconduttore fornito all'interno di una gamma in cui un campo magnetico dallo strato ferromagnetico raggiunge, dove lo strato magnetico a semiconduttore cambia il relativo dichiara da un paramagnetico dichiara ad un ferromagnetico dichiara applicando una tensione a ciò e una magnetizzazione che corrisponde alla magnetizzazione dello strato ferromagnetico è indotta nello strato magnetico a semiconduttore applicando una tensione allo strato magnetico a semiconduttore.
