Ferroelectric memory device

   
   

A plurality of word lines and a plurality of bit lines are disposed on opposite sides of a ferroelectric thin film, and each memory cell is formed by one ferroelectric capacitor. The word lines and the bit lines are driven by a word line driver section and a bit line driver section to which a plurality of types of drive voltages are supplied from a power supply circuit, and each operation mode including writing, reading, and rewriting of data is performed. A short-circuiting circuit is connected with the end portions of the word lines and the bit lines. The short-circuiting circuit short-circuits all the word lines and the bit lines after the operation mode, when turning the power on, or when turning the power off.

Um plurality de linhas da palavra e um plurality de linhas do bocado são dispostos em lados opostos de uma película fina ferroelectric, e cada pilha de memória é dada forma por um capacitor ferroelectric. As linhas da palavra e as linhas do bocado são dirigidas por uma linha seção da palavra do excitador e por uma linha seção do bocado do excitador a que um plurality dos tipos de tensões da movimentação é fornecido de um circuito da fonte de alimentação, e cada modalidade da operação including a escrita, a leitura, e reescrever dos dados é executada. Um circuito short-circuiting é conectado com as parcelas de extremidade das linhas da palavra e das linhas do bocado. O circuito short-circuiting short-circuits todas as linhas da palavra e linhas do bocado após a modalidade da operação, ao girar o poder sobre, ou ao desligar o poder.

 
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< Device having a state dependent upon the state of particles dispersed in a carrier

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