Disclosed structures and methods inhibit atomic migration and related
capacitive-resistive effects between a metallization layer and an
insulator layer in a semiconductor structure. One exemplary structure
includes an inhibiting layer between an insulator and a metallization
layer. The insulator includes a polymer or an insulating oxide compound.
And, the inhibiting layer has a compound formed from a reaction between
the polymer or insulating oxide compound and a transition metal, a
representative metal, or a metalloid.
Οι αποκαλυπτόμενες δομές και οι μέθοδοι εμποδίζουν την ατομική μετανάστευση και τα σχετικά χωρητικός-ανθεκτικά αποτελέσματα μεταξύ ενός στρώματος επιμετάλλωσης και ενός στρώματος μονωτών σε μια δομή ημιαγωγών. Μια υποδειγματική δομή περιλαμβάνει ένα εμποδίζοντας στρώμα μεταξύ ενός μονωτή και ενός στρώματος επιμετάλλωσης. Ο μονωτής περιλαμβάνει ένα πολυμερές σώμα ή μια μονώνοντας ένωση οξειδίων. Και, το εμποδίζοντας στρώμα έχει μια ένωση που σχηματίζονται από μια αντίδραση μεταξύ του πολυμερούς σώματος ή τη μονώνοντας ένωση οξειδίων και ένα μέταλλο μετάβασης, ένα αντιπροσωπευτικό μέταλλο, ή ένα μεταλλοειδές.
