A method for fabricating a semiconductor device that forms a capacitor and
metal interconnection in the same level, simultaneously using a damascene
process for forming a metal interconnection. A capacitor structure having
the high capacitance needed for logic elements is obtained without
increasing the number of layers for fabricating the capacitor by forming a
three-dimensional capacitor in the damascene pattern while maintaining the
conventional processes in a damascene interconnection process.
Un método para fabricar un dispositivo de semiconductor que forma una interconexión del condensador y del metal en el mismo nivel, usando simultáneamente un proceso damasquino para formar una interconexión del metal. Una estructura del condensador que tiene la alta capacitancia necesitada para los elementos de la lógica se obtiene sin el aumento del número de las capas para fabricar el condensador formando un condensador tridimensional en el patrón damasquino mientras que mantiene los procesos convencionales en un proceso damasquino de la interconexión.
