A process for forming a shallow trench isolation (STI), structure in a
semiconductor substrate, featuring a group of insulator liner layers
located on the surfaces of the shallow trench shape used to accommodate
the STI structure, has been developed. After defining a shallow trench
shape featuring rounded corners, a group of thin insulator liner layers,
each comprised of either silicon oxide or silicon nitride, is deposited on
the exposed surfaces of the shallow trench shape via atomic layer
depositing (ALD), procedures. A high density plasma procedure is used for
deposition of silicon oxide, filling the shallow trench shape which is
lined with the group of thin insulator liner layers. The silicon nitride
component of the insulator liner layers, prevents diffusion or segregation
of P type dopants from an adjacent P well region to the silicon oxide of
the STI structure.
Был начат процесс для формировать отмелую изоляцию шанца (STI), структуру в субстрате полупроводника, отличая группой в составе слои вкладыша изолятора расположенные на поверхностях отмелой формы шанца используемой для того чтобы приспособить структуру STI. После определять отмелую форму шанца отличая округленными углами, группа в составе тонкие слои вкладыша изолятора, каждое, котор состоят из или окиси кремния или нитрида кремния, депозированы на, котор подвергли действию поверхностях отмелой формы шанца через атомный слой депозируя (ALD), процедурах. Высокая процедура по плазмы плотности использована для низложения окиси кремния, заполняя отмелую форму шанца которая выровняна с группой в составе тонкие слои вкладыша изолятора. Компонент нитрида кремния вкладыша изолятора наслаивает, предотвращает диффузию или сегрегацию dopants типа п от смежной зоны п хорошей к окиси кремния структуры STI.
