A process system and a deposition method for depositing a highly controlled
layered film on a workpiece is disclosed. The basic component of the
present invention apparatus is a pulsing plasma source capable of either
exciting or not-exciting a first precursor. The pulsing plasma source
includes an energy source to generate a plasma, and a plasma adjusting
system to cause the plasma to either excite or not-excite a precursor. The
precursor could flow continuously (an aspect totally new to ALD), or
intermittently (or pulsing, standard ALD operation process). The present
invention further provides a method to deposit highly controlled layered
film on a workpiece. The method comprises the steps of pulsing the plasma
to excite/not-excite the precursors and the ambient to deposit and modify
the depositing layers. This procedure then can be repeated alternately
until the film reaches a desired thickness.
Um sistema process e um método do deposition para depositar uma película mergulhada altamente controlada em um workpiece são divulgados. O componente básico do instrumento atual da invenção é uma fonte pulsando do plasma capaz de emocionante ou de não-emocionante um primeiro precursor. A fonte pulsando do plasma inclui uma fonte de energia para gerar um plasma, e um plasma que ajusta o sistema para causar o plasma a excita ou não-excita um precursor. O precursor poderia fluir continuamente (um aspecto totalmente novo a ALD), ou processo da operação de ALD intermitentemente (ou pulsar, padrão). A invenção atual mais adicional fornece um método à película mergulhada altamente controlada do depósito em um workpiece. O método compreende as etapas de pulsar o plasma a excite/not-excite os precursors e o ambiental para depositar e modificar as camadas depositando. Este procedimento então pode ser repetido alternadamente até que a película alcance uma espessura desejada.
