High-k transistor gate structures and fabrication methods therefor are
provided, wherein a gate dielectric interface region near a semiconductor
substrate is provided with very little or no nitrogen, while the bulk
high-k dielectric is provided with a uniform nitrogen concentration.
Las estructuras de la puerta del transistor y los métodos Altos-k de la fabricación por consiguiente se proporcionan, en donde una región dieléctrica del interfaz de la puerta cerca de un substrato del semiconductor se proporciona muy poco o nada de nitrógeno, mientras que el dieléctrico alto-k a granel se proporciona una concentración uniforme del nitrógeno.
