A reticle for manufacturing a semiconductor device. The reticle includes
cutouts that permit material deposited through the reticle and onto a
surface of a semiconductor device being manufactured to form the shape of
the cutouts. Shapes defined in the cutouts and produced on the
semiconductor device include first and second topographic structures,
where the first are made up of conductive lead lines, and the second made
up of fill patterns such that the top surfaces of the second topographic
structures are generally coplanar with the top surfaces of the first
topographic structures. The first and second topographic structures can be
arranged in a generally repeating array on the substrate.
Um reticle para manufaturar um dispositivo de semicondutor. O reticle inclui os entalhes que permitem o material depositado através do reticle e em uma superfície de um dispositivo de semicondutor que está sendo manufaturado para dar forma à forma dos entalhes. As formas definidas nos entalhes e produzidas no dispositivo de semicondutor incluem as estruturas primeiramente e em segundo topographic, onde as primeiras são compostas de linhas condutoras da ligação, e o segundo composto de testes padrões de suficiência tais que as superfícies superiores das segundas estruturas topographic são geralmente coplanar com as superfícies superiores das primeiras estruturas topographic. As primeiras e segundas estruturas topographic podem ser arranjadas em uma disposição geralmente repetindo na carcaça.
