Elements in a triple-well MOS transistor are prevented from being destroyed
due to an increase in current consumption or a thermal runaway of a
parasitic bipolar transistor. A triple-well NMOS transistor comprising a P
well area formed within an N well area and a MOSFET formed in the P well
area, an impurity-diffused area having a lower impurity concentration than
an N.sup.+ drain area is formed close to the N+ drain area, thereby
restraining substrate current. The impurity concentration of the P well
area is increased to reduce the current gain of a parasitic bipolar
transistor. To further reduce the current gain, a punch-through stopper
area may be formed. The impurity concentration of the impurity-diffused
area is set to equal that of an N.sup.- LDD area 31 of a fine CMOS device
integrated on the same substrate 1. These areas are formed during a single
ion injection step.
Элементы в vtro1ne-nailucwim образом транзисторе mos предотвращены от быть разрушенные должными к увеличению в текущееа потребление или термально runaway паразитного двухполярного транзистора. Vtro1ne-nailucwim образом транзистор nmos состоя из зоны п хорошей сформировал внутри зона н хорошая и mosfet сформированные в зоне п хорошей, примес-otrajenno1 области имея более низкую концентрацию примеси чем зона стока N.sup.+ сформирована close to зона стока N+, таким образом задерживая течение субстрата. Концентрация примеси зоны п хорошей увеличена для уменьшения в настоящее время увеличения паразитного двухполярного транзистора. Более далее для того чтобы уменьшить в настоящее время увеличение, а пунш-cerez зону затвора может быть сформирован. Концентрация примеси примес-otrajenno1 области установлена к равному N.sup. - Зона 31 LDD точного приспособления cmos интегрировала на таком же субстрате 1. Эти области сформированы во время одиночного шага впрыски иона.
