A semiconductor device is provided which avoids lowering of the sense
speeds of plural sense amplifiers due to their drives. In the
semiconductor device, a P-type well layer (6) containing a P-type impurity
is selectively disposed in a main surface of an epitaxial layer (3). An
N-type bottom layer (7) containing an N-type impurity is disposed so as to
make contact with a bottom surface of the P-type well layer (6). A P-type
well layer (2) is disposed in such a thickness as to make contact with the
N-type bottom layer (7), so that the N-type bottom layer (7) and P-type
well layer (2) form a PN junction. Further, in the main surface of the
epitaxial layer (3), an N-type well layer (4) containing an N-type
impurity and a P-type well layer (5) containing a P-type impurity are
selectively disposed so as to sandwich therebetween the P-type well layer
(6).
On fournit un dispositif de semi-conducteur qui évite l'abaissement des vitesses de sens des amplificateurs pluriels de sens dus à leurs commandes. Dans le dispositif de semi-conducteur, un P-type la couche de puits (6) contenant un P-type impureté est sélectivement disposé dans une surface principale d'une couche épitaxiale (3). Un N-type la couche du fond (7) contenant un N-type impureté est disposé afin de faire le contact avec un fond du P-type la couche de puits (6). Un P-type la couche de puits (2) est disposé dans une telle épaisseur quant au au fabrication le contact avec le N-type le fond poser (7), de sorte que le N-type la couche du fond (7) et P-type forme bonne de la couche (2) une jonction de PN. De plus, dans la surface principale de la couche épitaxiale (3), un N-type la couche de puits (4) contenant un N-type impureté et un P-type la couche de puits (5) contenant un P-type impureté sont sélectivement disposés afin de serrer therebetween le P-type la couche de puits (6).
