Compound semiconductor light emitting devices capable of suppressing the
surface state density on the facets of semiconductor light emitting
devices such as semiconductor lasers for a long time and stable operating
even when the passivation layer diffuses can be easily obtained. Compound
semiconductor light emitting devices with an emission wavelength of
.lambda. (nm) wherein a first conduction type of clad layer, an active
layer and a second conduction type of clad layer are grown on a substrate
and two facets are opposite to each other so as to form a cavity,
characterized in that said active layer is transparent to the emission
wavelength in the vicinities of the facets and that the surfaces of the
first conduction type of clad layer, active layer and second conduction
type of clad layer forming said facets are each coated with a passivation
layer.
Des dispositifs d'émission légers de semi-conducteur composé capables de supprimer la densité d'état extérieure sur les facettes des dispositifs d'émission légers de semi-conducteur tels que des lasers de semi-conducteur pendant longtemps et du fonctionnement stable même lorsque la couche de passivation répand peuvent être facilement obtenus. Dispositifs d'émission légers de semi-conducteur composé avec une longueur d'onde d'émission de lambda. (nm) où un premier type de conduction de couche plaquée, une couche active et un deuxième type de conduction de couche plaquée sont développés sur un substrat et deux facettes sont vis-à-vis l'un l'autre afin de former une cavité, caractérisée en ce que ladite couche active est transparente à la longueur d'onde d'émission à proximités des facettes et que les surfaces du premier type de conduction de couche plaquée, la couche active et deuxième le type de conduction de couche plaquée formant lesdites facettes chacune sont enduits d'une couche de passivation.
