A semiconductor light receiving element having a light receiving layer (1)
formed from a GaN group semiconductor, and an electrode (2) formed on one
surface of the light receiving layer as a light receiving surface (1a) in
such a way that the light (L) can enter the light receiving layer is
provided. When the light receiving element is of a Schottky barrier type,
the aforementioned electrode (2) contains at least a Schottky electrode,
which is formed in such a way that, on the light receiving surface (1a),
the total length of the boundary lines between areas covered with the
Schottky electrode and exposed areas is longer than the length of the
outer periphery of the light receiving surface (1a). In addition, when the
light receiving element is of a photoconductive type, the aforementioned
light receiving layer (1) is a first conductivity type i layer, and the
aforementioned electrode (2) is an ohmic electrode of one polarity, and an
ohmic electrode of the other polarity is formed directly or via a first
conductivity type and low resistance GaN group semiconductor layer on the
other surface of the light receiving layer (1).
Een halfgeleider licht ontvangend element dat een lichte ontvangende laag (1) heeft vormde zich van een GaN groepshalfgeleider, en een elektrode (2) vormde zich op één oppervlakte van de lichte ontvangende laag als licht dat oppervlakte (1a) ontvangt zodanig dat lichte (L) de lichte ontvangende laag kan ingaan wordt verstrekt. Wanneer het lichte ontvangende element van een Schottky barrièretype is, bevat voornoemde elektrode (2) minstens een elektrode Schottky, die wordt gevormd zodanig dat, op het licht dat oppervlakte (1a) ontvangt, de totale lengte van de grenslijnen tussen gebieden met de elektrode behandelde Schottky en de blootgestelde gebieden langer is dan de lengte van de buitenperiferie van het licht dat oppervlakte (1a) ontvangt. Bovendien wanneer het lichte ontvangende element van een fotoconductief type is, is voornoemde lichte ontvangende laag (1) een eerste geleidingsvermogentype i laag, en voornoemde elektrode (2) is een ohmic elektrode van één polariteit, en een ohmic elektrode van de andere polariteit wordt gevormd direct of via een eerste geleidingsvermogentype en een lage de halfgeleiderlaag van de weerstandsgaN groep op de andere oppervlakte van lichte ontvangende laag (1).
