A semiconductor device including multiple high-voltage drive transistors in
its output section is improved in electrostatic withstand voltage by
connecting electrostatic protection transistors in parallel with the
high-voltage drive transistors connected to the output pads. The drain
withstand voltage of the electrostatic protection transistors is made
lower than the drain withstand voltage of the high-voltage drive
transistors. In addition, the channel length of electrostatic protection
transistors is made short to enable efficient bipolar operation of the
electrostatic protection transistors.
Un dispositivo a semiconduttore compreso i transistori di azionamento ad alta tensione multipli nella relativa sezione dell'uscita è migliorato nella tensione elettrostatica di withstand collegando i transistori elettrostatici di protezione in parallelo con i transistori di azionamento ad alta tensione collegati ai rilievi dell'uscita. La tensione di withstand dello scolo dei transistori elettrostatici di protezione è resa più bassa della tensione di withstand dello scolo dei transistori di azionamento ad alta tensione. In più, la lunghezza di scanalatura dei transistori elettrostatici di protezione è fatta bruscamente per permettere il funzionamento bipolare efficiente dei transistori elettrostatici di protezione.
