A plurality of quantum dots are distributed dispersedly on the principal
surface of a substrate comprising a first semiconductor. A cover layer
comprising a second semiconductor is formed on a virtual plane on which
the quantum dots are distributed. A barrier layer is disposed on the
virtual plane at least in an area not disposed with the quantum dots. The
barrier layer comprises a third semiconductor or insulator having a band
gap wider than band gaps of the first and second semiconductors. A
semiconductor device is provided which can prevent an injection efficiency
of carriers into quantum dots.
Una pluralidad de puntos del quántum se distribuye dispersedly en la superficie principal de un substrato que abarca un primer semiconductor. Una capa de la cubierta que abarca un segundo semiconductor se forma en un plano virtual en el cual se distribuyan los puntos del quántum. Una capa de barrera se dispone en el plano virtual por lo menos en un área no dispuesta con los puntos del quántum. La capa de barrera abarca un tercer semiconductor o aislador que tiene un boquete de la venda más de par en par que boquetes de la venda de los primeros y segundos semiconductores. Se proporciona un dispositivo de semiconductor que puede prevenir una eficacia de inyección de portadores en puntos del quántum.
