A structure and method for an insulator layer having carbon-graded layers
above a substrate is disclosed, wherein the concentration of carbon
increases in each successive carbon-graded layer above the substrate. The
insulator comprises a low-k dielectric having a dielectric constant less
than 3.3. The carbon-graded layer increases adhesion between the substrate
and the insulator and between the insulator and the conductor layer. The
structure may also include stabilization interfaces between the
carbon-graded layers. More specifically, the carbon-graded layers include
a first layer adjacent the substrate having a carbon content between about
5% and 20%, a second layer above the first layer having a carbon content
between about 10% and 30%, and a third layer above the second layer having
a carbon content between about 20% and 40%.
Показаны структура и метод для слоя изолятора углерод-sortiru4 слои выше субстрат, при котором концентрация углерода увеличивает в каждом последовательном углерод-rassortirovannom слое выше субстрат. Изолятор состоит из nizkogo-k диэлектрика имея диэлектрическую константу более менее чем 3.3. Углерод-rassortirovanny1 слой увеличивает прилипание между субстратом и изолятором и между изолятором и слоем проводника. Структура может также включить поверхности стыка стабилизации между углерод-rassortirovannymi слоями. Более специфически, углерод-rassortirovannye слои вклюают первый слой смежный субстрат имея содержание углерода между около 5% и 20%, вторым слоем выше первый слой имея содержание углерода между около 10% и 30%, и третьим слоем выше второй слой имея содержание углерода между около 20% и 40%.
