A silicon-on-isolator CMOS integrated circuit device includes a
semiconductor substrate, an isolation layer formed over the semiconductor
substrate, an n-type MOS transistor having a gate, a drain region, and a
source region formed over the isolation layer, and a p-type MOS transistor
having a gate, a drain region, and a source region formed over the
isolation layer and contiguous with the n-type MOS transistor, wherein the
n-type MOS transistor and the p-type MOS transistor form a silicon
controlled rectifier to provide electrostatic discharge protection.
Um dispositivo do circuito integrado do CMOS do silicone-em-isolador inclui uma carcaça do semicondutor, uma camada da isolação dada forma sobre a carcaça do semicondutor, um n-tipo transistor do MOS que tem uma porta, uma região do dreno, e uma região da fonte dada forma sobre a camada da isolação, e um p-tipo transistor do MOS que tem uma porta, uma região do dreno, e uma região da fonte dada forma sobre a camada da isolação e contígua com o n-tipo transistor do MOS, wherein o n-tipo transistor do MOS e o p-tipo transistor do MOS dão forma a um retificador controlado silicone para fornecer a proteção eletrostática da descarga.
