A nonvolatile storage element of a single-layer gate type structure is
arranged so that a floating gate is formed of a conductive layer which
partly overlaps with a control gate, formed of a diffused layer, and is
provided with a barrier layer covering a part of or the whole surface of
the floating gate. Nonvolatile storage elements characterized as such are
used for redundancy control of defects or change of functions.
Um elemento permanente do armazenamento de um tipo single-layer estrutura da porta é arranjado de modo que uma porta flutuando seja dada forma de uma camada condutora que sobreponha em parte com uma porta do controle, dado forma de uma camada difundida, e fornecida com uma camada de barreira que cobre uma parte de ou a superfície inteira da porta flutuando. Os elementos permanentes do armazenamento caracterizados como esta'n são usados para o controle da redundância dos defeitos ou a mudança das funções.
