A GaN series surface-emitting laser diode and a method for manufacturing
the same are provided. The GaN series surface-emitting laser diode
includes: an active layer; p-type and n-type material layers on the
opposite sides of the active layer; a first-distributed Bragg reflector
(DBR) layer formed on the n-type material layer; an n-type electrode
connected to the active layer through the n-type material layer such that
voltage is applied to the active layer for lasing; a spacer formed on the
p-type material layer with a laser output window in a portion aligned with
the first DBR layer, the spacer being thick enough to enable holes to
effectively migrate to a center portion of the active layer; a second DBR
layer formed on the laser output window; and a p-type electrode connected
to the active layer through the p-type material layer such that voltage is
applied to the active layer for lasing. The laser output window is shaped
such that diffraction of a laser beam caused by the formation of the
spacer can be compensated for.
Eine GaN Reihe Oberfläche-ausstrahlende Laser Diode und eine Methode für die Produktion dasselbe werden zur Verfügung gestellt. Die GaN Reihe Oberfläche-ausstrahlende Laser Diode schließt ein: eine aktive Schicht; Part und Nart materielle Schichten auf den gegenüberliegenden Seiten der aktiven Schicht; eine erst-verteilte Schicht des Bragg Reflektors (DBR) bildete sich auf der Nart Materialschicht; eine Nart Elektrode schloß an die aktive Schicht durch die Nart materielle Schicht so an, daß Spannung an der aktiven Schicht für das Lasing angewendet wird; eine Distanzscheibe bildete sich auf der Part materielle Schicht mit einem Laser Ausgang Fenster in einem Teil, der mit der ersten DBR Schicht, die Distanzscheibe ausgerichtet war, die dick genug Bohrungen ermöglichen soll, zu einem Mittelteil der aktiven Schicht effektiv abzuwandern; eine zweite DBR Schicht bildete sich auf dem Laser Ausgang Fenster; und eine Part Elektrode schloß an die aktive Schicht durch die Part materielle Schicht so an, daß Spannung an der aktiven Schicht für das Lasing angewendet wird. Dem Laser Ausgang Fenster wird so geformt, daß Beugung eines Laserstrahles, der durch die Anordnung der Distanzscheibe verursacht wird, entschädigt werden kann.
