A distributed photodiode structure is shown formed on a semiconductor
substrate having a first dopant type where a first plurality of diffusions
of a second dopant type are formed on a first surface of the substrate. A
second plurality of diffusions having the first dopant type are formed on
the first surface of the substrate between the first plurality of
diffusions. In a further refinement, a second surface of the substrate is
diffused with the first dopant type. In yet another refinement, a
plurality of trenches are formed on the first surface and the second
plurality of diffusions are formed within the trenches.
Una struttura distribuita del fotodiodo è indicata formata su un substrato a semiconduttore che ha un primo tipo del dopant in cui una prima pluralità di diffusione di un secondo tipo del dopant è formata su una prima superficie del substrato. Una seconda pluralità di diffusione che hanno il primo tipo del dopant è formata sulla prima superficie del substrato fra la prima pluralità di diffusione. In un perfezionamento ulteriore, una seconda superficie del substrato è diffusa con il primo tipo del dopant. In ancora un altro perfezionamento, una pluralità di trincee è formata sulla prima superficie e la seconda pluralità di diffusione è formata all'interno delle trincee.
