Multi-technology complementary bipolar output using polysilicon emitter and buried power buss with low temperature processing

   
   

A dual polysilicon emitter, complementary output is provided which utilizes a buried power buss. While providing these advantages, the process is not complicated. The process has the speed performance of the ASSET technology with an easier process to produce. In addition, the process described in the present invention provides additional advantages that the ASSET process does not have.

Ένας διπλός εκπομπός πολυπυρίτιων, συμπληρωματική παραγωγή παρέχεται που χρησιμοποιεί μια θαμμένη δύναμη buss. Παρέχοντας αυτά τα πλεονεκτήματα, η διαδικασία δεν είναι περίπλοκη. Η διαδικασία έχει την απόδοση ταχύτητας της τεχνολογίας ΠΡΟΤΕΡΗΜΑΤΩΝ με μια ευκολότερη διαδικασία στα προϊόντα. Επιπλέον, η διαδικασία που περιγράφεται στην παρούσα εφεύρεση παρέχει τα πρόσθετα πλεονεκτήματα που η διαδικασία ΠΡΟΤΕΡΗΜΑΤΩΝ δεν έχει.

 
Web www.patentalert.com

< Distributed photodiode structure having majority dopant gradient and method for making same

< Semiconductor photo detecting device and its manufacturing method

> Optical device and a method of making an optical device

> Low volt/high volt transistor

~ 00117