Low volt/high volt transistor

   
   

A semiconductor device has at least one high-voltage and low-voltage transistor on a single substrate. The reliability of the high-voltage transistor is enhanced by performing a LDD implantation in only the high-voltage transistor prior to conducting an oxidation process to protect the substrate and gate electrode. After the oxidation process is performed, the low-voltage transistor is subjected to an LDD implantation process. The resultant semiconductor device provides a high-voltage transistor having a deeper LDD region junction depth than the low-voltage transistor, ensuring reliability and performance.

Прибора на полупроводниках имеет по крайней мере один высоковольтный и low-voltage транзистор на одиночном субстрате. Надежность высоковольтного транзистора увеличена путем выполнять вживление LDD в только высоковольтном транзисторе перед дирижировать процесс оксидации для того чтобы защитить электрод субстрата и строба. После того как процесс оксидации выполнен, low-voltage транзистор подвергается к процессу вживления LDD. Возникающий прибора на полупроводниках обеспечивает высоковольтный транзистор имея более глубокую глубину соединения зоны LDD чем low-voltage транзистор, обеспечивающ надежность и представление.

 
Web www.patentalert.com

< Self-aligned trench MOS junction field-effect transistor for high-frequency applications

< MOS transistor and method for fabricating the same

> Integrated circuit with MOSFETS having bi-layer metal gate electrodes

> Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer and processing method for semiconductor wafer using said adhesive film

~ 00172