A semiconductor device has at least one high-voltage and low-voltage
transistor on a single substrate. The reliability of the high-voltage
transistor is enhanced by performing a LDD implantation in only the
high-voltage transistor prior to conducting an oxidation process to
protect the substrate and gate electrode. After the oxidation process is
performed, the low-voltage transistor is subjected to an LDD implantation
process. The resultant semiconductor device provides a high-voltage
transistor having a deeper LDD region junction depth than the low-voltage
transistor, ensuring reliability and performance.
Прибора на полупроводниках имеет по крайней мере один высоковольтный и low-voltage транзистор на одиночном субстрате. Надежность высоковольтного транзистора увеличена путем выполнять вживление LDD в только высоковольтном транзисторе перед дирижировать процесс оксидации для того чтобы защитить электрод субстрата и строба. После того как процесс оксидации выполнен, low-voltage транзистор подвергается к процессу вживления LDD. Возникающий прибора на полупроводниках обеспечивает высоковольтный транзистор имея более глубокую глубину соединения зоны LDD чем low-voltage транзистор, обеспечивающ надежность и представление.
