A method of fabricating integrated circuits includes forming MOSFETs with
gate electrodes of a first composition, and sidewall spacers along
laterally opposed sides of those gate electrodes, removing the gate
electrodes of the first composition, and replacing those gate electrodes
with a gate electrode structure having at least two layers of metal. In a
further aspect of the present invention, complementary metal oxide
semiconductor integrated circuits are fabricated by replacing n-channel
transistor gate electrodes with gate electrodes having at least a first
metal and a second metal, and further replacing the p-channel transistor
gate electrodes with gate electrodes having a third metal and a fourth
metal. The first and second metal combination includes, but is not limited
to, TiN and Al. The third and fourth metal combination includes, but is
not limited to, TaN and Ni; TaN and Pd; and TaN and Pt.
Um método de fabricar circuitos integrados inclui dar forma a mOSFETs com elétrodos de porta de uma primeira composição, e os espaçadores do sidewall ao longo dos lados lateralmente opostos daqueles elétrodos de porta, removendo os elétrodos de porta da primeira composição, e substituindo aqueles elétrodos de porta com um elétrodo de porta estruturam ter ao menos duas camadas de metal. Em um aspecto mais adicional da invenção atual, os circuitos integrados do semicondutor complementar do óxido de metal são fabricados substituindo os elétrodos de porta do transistor da n-canaleta com os elétrodos de porta que têm ao menos um primeiro metal e um segundo metal, e mais adicionais substituindo os elétrodos de porta do transistor da p-canaleta com os elétrodos de porta que têm um terceiro metal e um quarto metal. A primeira e segunda combinação do metal inclui, mas não é limitada a, lata e al. A terceira e quarta combinação do metal inclui, mas não é limitada a, TaN e Ni; TaN e paládio; e TaN e pinta.
