Porous dielectric layers are produced by introducing small vertical or
columnar gaps in pre-formed layers of dense dielectric. The pores may be
formed by a special process that is different from the processes employed
to form metal lines and other features on a VLSI device. Further, the
columnar gaps may be produced after the planarization process for a
particular layer has been completed. Then, after the pores are formed,
they are capped by depositing another layer of material. In this manner,
the newly porous layer is protected from direct exposure to the pressure
of subsequent planarization processes. In alternative embodiments, the
processes described herein are applied to introduce pores into a preformed
layer of semiconductor to produce a porous semiconductor layer.
Gli strati dielettrici porosi sono prodotti introducendo le piccole lacune verticali o colonnari negli strati preformati del dielettrico denso. I pori possono essere costituiti da un processo speciale che è differente dai processi impiegati per formare le linee del metallo ed altre caratteristiche su un dispositivo di VLSI. Più ulteriormente, le lacune colonnari possono essere prodotte dopo che il processo di planarization per uno strato particolare sia stato realizzato. Allora, dopo che i pori siano formati, sono ricoperti depositando un altro strato di materiale. In questo modo, lo strato recentemente poroso è protetto da esposizione diretta alla pressione dei processi successivi di planarization. Negli incorporamenti alternativi, i processi descritti qui sono applicati per introdurre i pori in uno strato preformato del semiconduttore per produrre uno strato poroso a semiconduttore.
