A D/A converter capable of temporally controlling output of analog data
during D/A conversion is provided. The digital to analog converter
includes a ferroelectric non-volatile semiconductor memory. The
ferroelectric non-volatile semiconductor memory includes a data line, a
memory unit which has M memory cells, and M plate lines. Each of the
memory cells includes a first electrode, a ferroelectric layer and a
second electrode. The first electrode of the memory cells is shared in the
memory unit and is connected to the data line. The second electrode of the
mth memory cell is connected to the mth plate line. And the area of the
ferroelectric layer of the memory cells varies among the memory cells.
Un convertitore di D/A capace temporaneamente di controllo dell'uscita dei dati analog durante la conversione di D/A è fornito. Il digitale al convertitore di analogo include una memoria a semiconduttore non volatile ferroelectric. La memoria a semiconduttore non volatile ferroelectric include una linea di dati, un'unità di memoria che ha cellule di memoria di m. e linee della piastra di m.. Ciascuna delle cellule di memoria include un primo elettrodo, uno strato ferroelectric e un secondo elettrodo. Il primo elettrodo delle cellule di memoria è ripartito nell'unità di memoria ed è collegato alla linea di dati. Il secondo elettrodo della cellula di memoria del mth è collegato alla linea della piastra del mth. E la zona dello strato ferroelectric delle cellule di memoria varia fra le cellule di memoria.
