A semiconductor package production method containing a step in which a bond
layer made of a single-layer film thermoset bond is provided on the back
of a wafer on which many semiconductor devices are formed, a dicing tape
is pasted onto its bond layer side, and the bond layer and the wafer are
diced simultaneously in order to obtain semiconductor devices with the
bond layer, and a step in which the semiconductor devices with the bond
layer are detached from the dicing tape and die-attached to interposing
substrates serving as bodies to which they are bonded; wherein, the
aforementioned film thermoset bond contains an epoxy resin, an epoxy resin
hardener, and a phenoxy resin as well as 50-80 wt % of spherical silica,
and the bond layer is 100 .mu.m or thicker. A semiconductor device made by
this method and a wafer for use with this method.
Een de productiemethode die van het halfgeleiderpakket een stap bevat waarin een bandlaag die van een single-layer filmthermoset band wordt gemaakt op de rug van een wafeltje wordt verstrekt waarop vele halfgeleiderapparaten worden gevormd, wordt een dobbelende band gekleefd op zijn kant van de bandlaag, en de bandlaag en het wafeltje zijn gelijktijdig gedobbeld om halfgeleiderapparaten met de bandlaag, en een stap te verkrijgen waarin de halfgeleiderapparaten met de bandlaag van de dobbelende band worden losgemaakt en matrijs-gedobbeld aan het invoegen van substraten die als organismen dienen waarop zij worden geplakt; waarin, de voornoemde filmthermoset band een epoxyhars bevat, zijn een epoxyharsverharder, en een phenoxy hars evenals 50-80 % gew. van sferisch kiezelzuur, en de bandlaag mu.m 100 of dikker. Een halfgeleiderapparaat maakte met deze methode en een wafeltje voor gebruik met deze methode.
