An improved method for producing optoelectronic devices such as light
emitting diodes or laser diodes is provided. Light emitting diodes or
laser diodes are provided with improved light extraction. Epitaxial layers
including a light emitting p-n junction are deposited on a substrate, and
separations are cut through the epitaxial layers to provide a structure
including a plurality of individual dies on the substrate. The structure
is mounted on a submount and the substrate is removed. An index matching
material is then attached to improve light extraction from the
optoelectronic device.
Une méthode améliorée pour produire les dispositifs optoélectroniques tels que les diodes luminescentes ou les diodes de laser est fournie. Des diodes luminescentes ou les diodes de laser sont équipées d'extraction légère améliorée. Des couches épitaxiales comprenant une jonction d'émission légère de PN sont déposées sur un substrat, et des séparations sont coupées par les couches épitaxiales pour fournir une structure comprenant une pluralité de différentes matrices sur le substrat. La structure est montée sur un submount et le substrat est enlevé. Un matériel assorti d'index est alors joint pour améliorer l'extraction légère à partir du dispositif optoélectronique.
