A system of Flash EEprom memory chips with controlling circuits serves as
non-volatile memory such as that provided by magnetic disk drives.
Improvements include selective multiple sector erase, in which any
combinations of Flash sectors may be erased together. Selective sectors
among the selected combination may also be de-selected during the erase
operation. Another improvement is the ability to remap and replace
defective cells with substitute cells. The remapping is performed
automatically as soon as a defective cell is detected. When the number of
defects in a Flash sector becomes large, the whole sector is remapped. Yet
another improvement is the use of a write cache to reduce the number of
writes to the Flash EEprom memory, thereby minimizing the stress to the
device from undergoing too many write/erase cycling.
Un sistema dei circuiti integrati di memoria istantanei di EEprom con i circuiti di controllo serve da memoria non volatile come quello fornito dagli azionatori del disco magnetico. I miglioramenti includono il settore multiplo selettivo cancellano, in cui tutte le combinazioni dei settori istantanei possono essere cancellate insieme. I settori selettivi fra la combinazione selezionata possono anche de-selected durante il funzionamento di cancellazione. Un altro miglioramento è la capacità di remap e sostituire le cellule difettose con le cellule sostitutive. Remapping è effettuato automaticamente non appena una cellula difettosa è rilevata. Quando il numero di difetti in un settore istantaneo diventa grande, il settore intero remapped. Ancora un altro miglioramento è l'uso di un nascondiglio di scrittura ridurre il numero di scrive alla memoria istantanea di EEprom, quindi minimizzante lo sforzo al dispositivo dal subire troppo ciclare di write/erase.
