A semiconductor integrated circuit has a ferroelectric capacitor. The
ferroelectric capacitor includes a first insulation film formed above a
semiconductor substrate, a first electrode which is buried in a fist hole
formed in the first insulation film and whose surface is flattened, a
second insulation film formed above the first insulation film and having a
second hole above the first electrode, a ferroelectric film formed in the
second hole, and a second electrode formed in the second hole and above
the ferroelectric film and flattened so as to be flush with a surface of
the second insulation film.
Цепь полупроводника интегрированная имеет ferroelectric конденсатор. Ferroelectric конденсатор вклюает первую пленку изоляции сформированную над субстратом полупроводника, первым электродом который похоронены в сформированном отверстии кулачка в первой пленке изоляции и поверхность которого сплющена, второй пленкой изоляции сформированной над первой пленкой изоляции и иметь второе отверстие над первым электродом, ferroelectric пленкой быть сформированным в втором отверстии, и вторым электродом быть сформированным в втором отверстии и над ferroelectric пленкой и сплющенным для того чтобы быть полн с поверхностью второй пленки изоляции.
