The objective of the present invention is to provide a reliable thin-film
circuit substrate or via formed substrate that is provided with minute via
plugs at a fine pitch. The objective is served by forming an insulation
layer that functions as an etching stopper on a Si substrate, and then via
holes are formed in the Si substrate, using a semiconductor process, until
the etching stopper layer is exposed. Further, a thin-film circuit is
formed on the insulation layer, and the insulation layer is removed at the
via holes such that the thin-film circuit is exposed. As necessary, the
thin film circuit is heat-treated, and then the via holes are filled with
an electrically conductive material and vamp electrodes are formed.
Задача присытствыющего вымысла должна обеспечить надежный субстрат тонкопленочной цепи или через сформированный субстрат обеспечен с минутой через штепсельные вилки на точном тангаже. Задача послужена путем формировать слой изоляции действует как затвор вытравливания на субстрате кремния, и после этого через отверстия сформирована в субстрате кремния, использующ процесс полупроводника, до тех пор пока слой затвора вытравливания не подвергнуть действию. Более потом, тонкопленочная цепь сформирована на слое изоляции, и слой изоляции извлекается на через отверстия такие что тонкопленочная цепь подвергается действию. По необходимости, цепь тонкой пленки heat-treated, и после этого через отверстия заполните с электрически проводным материалом и электроды vamp сформированы.
