A nonvolatile ferroelectric memory device includes a top cell array block
having a first plurality of unit cells, each with a pair of first and
second top split wordlines, a bottom cell array block provided with a
second plurality of unit cells, each having a pair of first and second
bottom split wordlines to correspond to the pair of first and second top
split wordlines, a top split wordline driver controlling an output signal
transmitted to the first and second top split wordlines of the top cell
array block, a bottom split wordline driver controlling an output signal
transmitted to the first and second bottom split wordlines of the bottom
cell array block, a split wordline driver controller outputting first and
second split wordline control signals, and a sensing amplifier arranged
for each bitline between the top cell array block and the bottom cell
array block.
Слаболетучее ferroelectric приспособление памяти вклюает верхний блок блока клетки имея первую множественность клеток блока, каждое с парой сперва и второй разделенные верхней частью wordlines, нижний блок блока клетки обеспеченный с второй множественностью клеток блока, каждым имея пару сперва и вторым разделенные дном wordlines, котор нужно соответствовать к паре сперва и wordlines второй верхней части split, водителю wordline верхней части split контролируя выходной сигнал переданный к wordlines первой и второй верхней части split верхнего блока блока клетки, водителя wordline дна split контролируя выходной сигнал переданный к wordlines первого и второго дна split нижнего блока блока клетки, split регулятор водителя wordline выводя наружу сперва и во-вторых разделенные сигналы управлением wordline, и воспринимая усилитель аранжировали для каждого bitline между верхним блоком блока клетки и нижним блоком блока клетки.
