A structure and a process for fabricating a bipolar junction transistor
(BJT) that is compatible with the fabrication of a vertical MOSFET is
disclosed. In the process, at least three layers of material are formed
sequentially on a semiconductor substrate, where the substrate includes a
buried collector region for the BJT and a source region for the MOSFET.
After the at least three layers are formed on the substrate, two windows
or trenches are formed in the layers. The first window terminates at the
surface of the silicon substrate where the source region has been formed;
the second window terminates at the buried collector region. Both windows
are then filled with semiconductor material. For the BJT, the bottom
portion of the window is filled with material of a conductivity type
matching the conductivity of the buried collector, while the upper region
of the semiconductor material is doped the opposite conductivity to form
the BJT base. Subsequent processing forms the emitter overlying the base
and a MOSFET drain overlying the channel formed within the window. The
second layer of the three layers is sacrificial and is completely removed.
Upon removal of the sacrificial layer, the channel is exposed and a
dielectric layer is grown over the exposed channel region, followed by an
overlying gate to complete formation of the BJT.
Une structure et un processus pour fabriquer un transistor de jonction bipolaire (BJT) qui est compatible avec la fabrication d'un transistor MOSFET vertical est révélée. Dans le processus, au moins trois couches de matériel sont formées séquentiellement sur un substrat de semi-conducteur, où le substrat inclut une région de collecteur enterrée pour le BJT et une région de source pour le transistor MOSFET. Après que les au moins trois couches soient formées sur le substrat, deux fenêtres ou fossés sont formés dans les couches. La première fenêtre se termine sur la surface du substrat de silicium où la région de source a été formée ; la deuxième fenêtre se termine à la région de collecteur enterrée. Les deux fenêtres sont alors remplies de matériel de semi-conducteur. Pour le BJT, la partie inférieure de la fenêtre est remplie de matériel d'un type de conductivité assortissant la conductivité du collecteur enterré, alors que la région supérieure du matériel de semi-conducteur est enduite la conductivité opposée pour former la base de BJT. Le traitement suivant forme l'émetteur recouvrant la base et un drain de transistor MOSFET recouvrant le canal formé dans la fenêtre. La deuxième couche des trois couches est sacrificatoire et est complètement enlevée. Lors du déplacement de la couche sacrificatoire, le canal est exposé et une couche diélectrique est excédent développé la région exposée de canal, suivie d'une porte sus-jacente pour accomplir la formation du BJT.
