A thin film transistor (TFT) array substrate has a plurality of pixel
units. A plurality of signal lines and a plurality of scanning lines are
formed on the substrate. Each of the plurality of paired and adjacent
signal lines and each of the plurality of scanning lines are arranged in a
matrix form to define each pixel unit. Each pixel unit includes at least
two pixels, which are abreast of the paired and adjacent signal lines.
This structure thereby provides a TFT array substrate with high aperture
ratio pixel structure.
Un substrato del arsenal del transistor de la película fina (TFT) tiene una pluralidad de unidades del pixel. Una pluralidad de líneas de señales y una pluralidad de líneas de exploración se forman en el substrato. Cada uno de la pluralidad de líneas de señales apareadas y adyacentes y cada uno de la pluralidad de líneas de exploración se arreglan en una forma de la matriz para definir cada unidad del pixel. Cada unidad del pixel incluye por lo menos dos pixeles, que están al corriente de las líneas de señales apareadas y adyacentes. Esta estructura de tal modo provee de un substrato del arsenal de TFT la alta estructura del pixel del cociente de la abertura.
