A bipolar junction transistor (BJT) includes a dielectric layer formed on a
predetermined region of a substrate, an opening formed in the dielectric
layer and a portion of the substrate being exposed, a heavily doped
polysilicon layer formed on a sidewall of the opening to define a
self-aligned base region in the opening, an intrinsic base doped region
formed within the substrate and in a bottom of the opening by implanting
through the self-aligned base region, a spacer formed on the heavily doped
polysilicon layer to define a self-aligned emitter region in the opening,
and an emitter conductivity layer being filled with the self-aligned
emitter region and a PN junction being formed between the emitter
conductivity layer and the intrinsic base doped region.
Транзистор двухполярного соединения (BJT) вклюает диэлектрический слой сформированный на предопределенной зоне субстрата, сформированного отверстия в диэлектрический слой и части будучи подверганным действию субстрата, тяжело данного допинг слой polysilicon сформированный на стенке отверстия для того чтобы определить собственн-vyrovn4nnuh низкопробную зону в отверстии, внутреннеприсущим данную допинг основанием зону сформированную внутри субстрат и в дне отверстия путем имплантировать через собственн-vyrovn4nnuh низкопробную зону, прокладку сформированную на тяжело данном допинг слое polysilicon для того чтобы определить собственн-vyrovn4nnuh зону излучателя в отверстии, и слой проводимости излучателя будучи заполнянным при собственн-vyrovn4nna4 будучи сформированным зона излучателя и соединение pn между слой проводимости излучателя и внутреннеприсущее основание дали допинг зоне.
