A semiconductor crystal layer formed by epitaxial growth on a seed crystal
substrate is embedded in an insulating material in the condition where the
seed crystal substrate is removed, electrodes are provided respectively on
a first surface of the semiconductor crystal layer and a second surface of
the semiconductor layer opposite to the first surface, and lead-out
electrodes connected to the electrodes are led out to the same surface
side of the insulating material. The semiconductor crystal layer functions
as a semiconductor light-emitting device or a semiconductor electronic
device. The insulating material is, for example, a resin.
Слой полупроводника crystal сформированный эпитаксиальным ростом на субстрате кристалла семени врезан в изолируя материале в условии куда субстрат кристалла семени извлекается, электроды обеспечен соответственно на первой поверхности слоя полупроводника crystal и второй поверхности слоя полупроводника напротив первой поверхности, и vodit-vne электроды соединенные к электродам водить вне к такой же поверхностной стороне изолируя материала. Слой полупроводника crystal действует как приспособление полупроводника светоиспускающое или приспособление полупроводника электронное. Изолируя материалом будет, например, смолаа.
