A double-gate field effect transistor (DGFET) is provided using a
damascene-like replacement gate processing step to create sidewall
source/drain regions, oxide spacers and gate structures inside a
previously formed trench. The damascene-like replacement gate processing
step allows for the fabrication of a tapered transistor body region having
a thicker body under the contacts which reduces access resistance.
Обеспечен транзистор влияния поля двойн-stroba (DGFET) использующ а дамасчене-kak шаг строба замены обрабатывая для того чтобы создать зоны стенки source/drain, прокладки окиси и структуры строба внутри ранее сформированного шанца. Дамасчене-kak шаг строба замены обрабатывая позволяет для изготовления сплющенной зоны тела транзистора имея более толщиное тело под контактами уменьшает сопротивление доступа.
