A method of fabricating an exposure mask including the steps of forming a
chrome layer, a first photo resist, an Ag layer as a conductive layer and
a second photo resist on a transparent quartz substrate, in sequence;
forming and using a second photo resist pattern to form a conductive layer
pattern by etching the conductive layer; removing the second photo resist
pattern; forming an oxide layer for shielding light at the surface of the
conductive layer pattern and exposing the first photo resist using the
conductive layer pattern with the oxide layer thereon; forming a first
photo resist pattern exposing the chrome layer and forming a mask pattern
including the chrome layer by selectively etching the exposed chrome
layer; and removing the conductive layer pattern including the oxide and
the first photo resist pattern.
Een methode om een blootstellingsmasker met inbegrip van de stappen te vervaardigen van het vormen van een chroomlaag, een eerste foto verzet tegenzich, verzetten tegen een Ag laag zich als geleidende laag en een tweede foto op een transparant kwartssubstraat, de één na de ander; het vormen van en het gebruiken van een tweede foto verzetten zich tegen patroon om een geleidend laagpatroon te vormen door de geleidende laag te etsen; verwijderend de tweede foto verzet me tegen patroon; het vormen van een oxydelaag voor beveiligingslicht aan de oppervlakte van het geleidende laagpatroon en het blootstellen van de eerste foto verzetten zich daarop tegen het gebruiken van het geleidende laagpatroon met de oxydelaag; vormt een eerste foto verzet me tegen patroon dat de chroomlaag blootstelt en een maskerpatroon met inbegrip van de chroomlaag vormt door de blootgestelde chroomlaag selectief te etsen; en verwijderend het geleidende laagpatroon met inbegrip van het oxyde en de eerste foto verzet me tegen patroon.
