A semiconductor device comprising: an underlayer interconnect layer; an
interlayer dielectric film formed with a connection hole reaching the
underlayer interconnect layer; and an upper interconnect layer buried in
the connection hole, wherein the interlayer dielectric film includes an
insulating film containing an impurity for detecting a first etching end
point, a first insulating film, an insulating film containing an impurity
for detecting a second etching end point and a second insulating film,
these four films being laminated in this order.
Прибора на полупроводниках состоя из: слой interconnect underlayer; пленка прослойка диэлектрическая сформировала при отверстие соединения достигая слой interconnect underlayer; и верхний слой interconnect похороненный в отверстии соединения, при котором пленка прослойка диэлектрическая вклюает изолируя пленку содержа примесь для обнаруживать первое end point вытравливания, первой изолируя пленке, изолируя пленке содержа примесь для обнаруживать второе end point вытравливания и второй изолируя пленке, этих 4 пленках будучи прокатыванной в этом заказе.
