A manufacturing method for a semiconductor device, including forming on or
above a semiconductor substrate a silicon film a surface of which has a
first polycrystalline silicon film with mushroom or hemisphere-shaped
crystal grains, and forming a Ta.sub.2 O.sub.5 film on the silicon film at
a pressure of 40 Pa or lower and at a temperature of 480.degree. C. or
lower, using a gas obtained by vaporizing Ta(OC.sub.2 H.sub.5).sub.5 as a
tantalum source gas.
Un método de fabricación para un dispositivo de semiconductor, incluyendo la formación en o sobre un substrato del semiconductor una película del silicio una superficie de la cual tenga una primera película polycrystalline del silicio con la seta o los granos cristalinos hemisferio-formados, y la formación de una película de Ta.sub.2 O.sub.5 en la película del silicio en una presión de 40 PA o baja y en una temperatura de 480.degree. La C. o baja, con un gas obtenido vaporizando Ta(OC.sub.2 H.sub.5).sub.5 como gas de la fuente del tantalio.
