A high temperature hybrid-circuit structure includes a temperature
sensitive device which comprises SiC, AlN and/or Al.sub.x Ga.sub.1-x
N(x>0.69) connected via electrodes to an electrically conductive
mounting layer that is physically bonded to an AlN die. The die,
temperature sensitive device and mounting layer (which can be W, WC or
W.sub.2 C) have temperature coefficients of expansion within 1.06 of each
other. The mounting layer can consist entirely of a W, WC or W.sub.2 C
adhesive layer, or an adhesive layer with an overlay metallization having
a thermal coefficient of expansion not greater than about 3.5 times that
of the adhesive layer. The device can be encapsulated with a reacted
borosilicate mixture, with or without an upper die which helps to hold on
lead wires and increases structural integrity. Applications include
temperature senensors, pressure sensors, chemical sensors and high
temperature and high power electronic circuits.
Uma estrutura de alta temperatura do híbrido-circuito inclui um dispositivo sensível à temperatura que compreenda SiC, AlN e/ou Al.sub.x Ga.sub.1-x N(x 0.69) conectado através dos elétrodos a uma camada eletricamente condutora da montagem que seja ligada fisicamente a um dado de AlN. O dado, o dispositivo sensível à temperatura e a montagem mergulham (que podem ser W, WC ou W.sub.2 C) têm coeficientes da temperatura de expansão dentro de 1.06 de se. A camada da montagem pode consistir inteiramente em um W, em uma camada adesiva do WC ou do W.sub.2 C, ou em uma camada adesiva com um metallization da folha de prova que tem um coeficiente de expansão térmico não mais extremamente do que aproximadamente 3.5 vezes que da camada adesiva. O dispositivo pode encapsulated com uma mistura reagida do borosilicate, com ou sem um dado superior que as ajudas para prender na ligação wires e aumentem a integridade estrutural. As aplicações incluem senensors da temperatura, sensores da pressão, sensores químicos e circuitos eletrônicos do poder de alta temperatura e elevado.
