Multi-chip memory devices include at least two integrated circuit memory
chips, each of which includes corresponding address pads, data pads and
control signal pads, and a common package that encapsulates the at least
two integrated circuit memory chips, and that includes external terminals.
An internal connection circuit in the common package is configured to
connect at least one of the corresponding control signal pads of each of
the integrated circuit memory chips to separate ones of the external
terminals, to allow independent external control of each of the integrated
circuit memory chips that are encapsulated in the common package.
Multi-chip memory devices may be combined to form memory modules. The
memory modules include a memory module substrate having first and second
opposing surfaces. At least one multi-chip memory device, as described
above, is provided on the first surface and on the second surface.
Multi-Span größtintegrierte Speicherbauelemente schließen mindestens zwei Schaltungspeicherchips, von denen jedes entsprechende Adresse Auflagen, Datenauflagen und Steuersignalauflagen miteinschließt, und ein allgemeines Paket ein, das die mindestens zwei Schaltungspeicherchips einkapselt und das externe Anschlüß einschließt. Ein interner Anschlußstromkreis im allgemeinen Paket wird zusammengebaut, um eine mindestens der entsprechenden Steuersignalauflagen von jedem der Schaltungspeicherchips anzuschließen, um eine der externen Anschlüß zu trennen, um Unabhängigem externe Steuerung von jedem der Schaltungspeicherchips zuzugestehen, die im allgemeinen Paket eingekapselt werden. Multi-Span größtintegrierte Speicherbauelemente können kombiniert werden, um Gedächtnismodule zu bilden. Die Gedächtnismodule schließen ein zuerst habendes und an zweiter Stelle entgegensetzende Gedächtnismodulsubstrat Oberflächen mit ein. Mindestens wird ein Multispan größtintegriertes Speicherbauelement, wie oben beschrieben, auf der ersten Oberfläche und auf der zweiten Oberfläche zur Verfügung gestellt.
