Within a microelectronic fabrication and a method for fabricating the
microelectronic fabrication a barrier layer is formed over a substrate.
Within the method and the microelectronic fabrication the barrier layer is
formed of a refractory metal nitride barrier material having within its
thickness a gradient in nitrogen concentration. The barrier layer has low
resistivity and improved electromigration performance.
Dentro de uma fabricação microelectronic e de um método para fabricar a fabricação microelectronic um a camada de barreira é dado forma sobre uma carcaça. Dentro do método e da fabricação microelectronic a camada de barreira é dada forma de um material refratário da barreira do nitride do metal que tem dentro de sua espessura um gradient na concentração do nitrogênio. A camada de barreira tem o resistivity baixo e o desempenho melhorado do electromigration.
