A method of forming a memory device, where a first insulator layer and a
charge trapping layer may be formed on a substrate, and at least one of
the first insulator layer and charge trapping layer may be patterned to
form patterned areas. A second insulation layer and a conductive layer may
be formed on the patterned areas, and one or more of the conductive layer,
second insulator layer, charge trapping layer and first insulator layer
may be patterned to form a string selection line, ground selection line, a
plurality of word lines between the string selection and ground selection
lines on the substrate, a low voltage gate electrode, and a plurality of
insulators of varying thickness. The formed memory device may be a
NAND-type non-volatile memory device having a SONOS gate structure, for
example.
Un método de formar un dispositivo de memoria, donde una primera capa del aislador y una capa de la interceptación de la carga se pueden formar en un substrato, y por lo menos uno de la primera capa del aislador y de la capa de la interceptación de la carga se puede modelar para formar áreas modeladas. Una segunda capa del aislamiento y una capa conductora se pueden formar en las áreas modeladas, y una o más de la capa conductora, de la segunda capa del aislador, de la capa de la interceptación de la carga y de la primera capa del aislador se puede modelar para formar una línea de selección de la secuencia, la línea de selección de tierra, una pluralidad de líneas de la palabra entre la selección de la secuencia y de líneas de selección de la tierra en el substrato, un electrodo de puerta de la baja tensión, y una pluralidad de aisladores del grueso que varía. El dispositivo de memoria formado puede ser un NAND-TIPO dispositivo de memoria permanente que tiene una estructura de la puerta de SONOS, por ejemplo.
