An electronic device, and SRAM and a method of forming the electronic
device and SRAM. The semiconductor device including: a pass gate
transistor having a fin body having opposing sidewalls aligned in a first
direction and having a first majority carrier mobility and a gate adjacent
to both sidewalls of the fin body; a pull down latch transistor having a
fin body having opposing sidewalls aligned in a second direction and
having a second majority carrier mobility and a gate adjacent to both
sidewalls of thc fin body; a pull up latch transistor having a fin body
having opposing sidewalls aligned in a third direction and having a third
majority carrier mobility and a gate adjacent to both sidewalls of the fin
body; and CMOS chevron logic circuits, wherein crystal planes of each fin
body and of CMOS transistor of the chevron logic are co-aligned.
Um dispositivo eletrônico, e SRAM e um método de dar forma ao dispositivo eletrônico e ao SRAM. O dispositivo de semicondutor including: um transistor da porta da passagem que tem um corpo da aleta ter os sidewalls opondo-se alinhados em um primeiro sentido e ter uma primeira mobilidade de portador da maioria e uma porta junto a ambos os sidewalls do corpo da aleta; uma tração tranca para baixo o transistor que tem um corpo da aleta ter os sidewalls opondo-se alinhados em um segundo sentido e ter uma segunda mobilidade de portador da maioria e uma porta junto a ambos os sidewalls do corpo da aleta do thc; puxar para cima o transistor da trava que tem um corpo da aleta ter os sidewalls opondo-se alinhados em um terceiro sentido e ter uma terceira mobilidade de portador da maioria e uma porta junto a ambos os sidewalls do corpo da aleta; e circuitos de lógica do chevron do CMOS, wherein os planos de cristal de cada corpo da aleta e do transistor do CMOS da lógica do chevron co-são alinhados.
