A silicon nitride read-only-memory structure is provided. The silicon
nitride read-only-memory includes a control gate over a substrate, a
source region and a drain region in the substrate on each side of the
control gate, a charge-trapping layer between the control gate and the
substrate and a channel layer in the substrate underneath the
charge-trapping layer and between the source region and the drain region.
The charge-trapping layer further includes an isolation region. The
isolation region partitions the charge-trapping layer into a source side
charge-trapping block and a drain side charge-trapping block so that a
two-bit structure is formed.
Una struttura di legg-soltanto-memoria del nitruro di silicio รจ fornita. La legg-soltanto-memoria del nitruro di silicio include un cancello di controllo sopra un substrato, una regione di fonte e una regione dello scolo nel substrato da ogni lato del cancello di controllo, uno strato dell'caric-intrappolamento fra il cancello di controllo ed il substrato e uno strato della scanalatura nel substrato sotto lo strato dell'caric-intrappolamento e fra la regione di fonte e la regione dello scolo. Lo strato dell'caric-intrappolamento ulteriore include una regione di isolamento. La regione di isolamento divide lo strato dell'caric-intrappolamento in un blocchetto dell'caric-intrappolamento del lato di fonte ed in un blocchetto dell'caric-intrappolamento del lato dello scolo in moda da formare una struttura della due-punta.
