An imaging device formed as a CMOS semiconductor integrated circuit
includes a buried contact line between the floating diffusion region and
the gate of a source follower output transistor. The self-aligned buried
contact in the CMOS imager decreases leakage from the diffusion region
into the substrate which may occur with other techniques for
interconnecting the diffusion region with the source follower transistor
gate. Additionally, the self-aligned buried contact is optimally formed
between the floating diffusion region and the source follower transistor
gate which allows the source follower transistor to be placed closer to
the floating diffusion region, thereby allowing a greater photo detection
region in the same sized imager circuit.
Un dispositivo de la proyección de imagen formado como circuito integrado del semiconductor del Cmos incluye una línea enterrada del contacto entre la región flotante de la difusión y la puerta de un transistor de la salida del seguidor de la fuente. El contacto enterrado uno mismo-alineado en el toner del Cmos disminuye salida de la región de la difusión en el substrato que puede ocurrir con otras técnicas para interconectar la región de la difusión con la puerta del transistor del seguidor de la fuente. Además, el contacto enterrado uno mismo-alineado se forma óptimo entre la región flotante de la difusión y la puerta del transistor del seguidor de la fuente que permite que el transistor del seguidor de la fuente sea colocado más cercano a la región flotante de la difusión, de tal modo permitiendo una mayor región de la detección de la foto en el mismo circuito clasificado del toner.
