A multiple-trench photosensor for use in a CMOS imager having an improved
charge capacity. The multi-trench photosensor may be either a photogate or
photodiode structure. The multi-trench photosensor provides the
photosensitive element With an increased surface area compared to a flat
photosensor occupying a comparable area on a substrate. The multi-trench
photosensor also exhibits a higher charge capacity, improved dynamic
range, and a better signal-to-noise ratio. Also disclosed are processes
for forming the multi-trench photosensor.
Veelvoudig-geulphotosensor voor gebruik in CMOS imager die een betere lastencapaciteit heeft. Multi-geulphotosensor kan of een photogate of fotodiodestructuur zijn. Multi-geulphotosensor voorziet het fotogevoelige element van een verhoogde oppervlakte die in vergelijking met vlakke photosensor een vergelijkbaar gebied op een substraat bezet. Multi-geulphotosensor stelt ook een hogere lastencapaciteit, een betere dynamische waaier, en een betere signal-to-noise verhouding tentoon. Ook onthuld worden de processen om multi-geulphotosensor te vormen.
