The invention pertains to thin film constructions comprising NVRAM devices
built over a versatile substrate base. In particular aspects, a device
includes a body region, and further include first and second diffusion
regions formed in the body region. A channel region is in the body region
between the first and second diffusion regions. A gate insulator stack is
above the channel region, and a gate is over the gate insulator stack. The
gate insulator stack includes a floating plate charge center which is
electrically connected to the second diffusion region. The memory device
includes a diode which connects the body region to the second diffusion
region such that the floating plate is charged when the diode is reversed
biased. The invention also includes electronic systems comprising novel
TFT-based NVRAM devices.
Die Erfindung betrifft die Dünnfilmaufbauten, welche die NVRAM Vorrichtungen enthalten, die über einer vielseitigen begabt Substratunterseite errichtet werden. Insbesondere schließt Aspekte, eine Vorrichtung eine Körperregion ein und schließt weiter zuerst und die zweiten Diffusion (Zerstäubung) Regionen ein, die in der Körperregion gebildet werden. Eine Führung Region ist in der Körperregion zwischen den ersten und zweiten Diffusion (Zerstäubung) Regionen. Ein Gatterisolierung Stapel ist über der Führung Region, und ein Gatter ist über dem Gatterisolierung Stapel. Der Gatterisolierung Stapel schließt eine sich hin- und herbewegende Platte Aufladung Mitte ein, die elektrisch an die zweite Diffusion (Zerstäubung) Region angeschlossen wird. Das größtintegrierte Speicherbauelement schließt eine Diode mit ein, die die Körperregion an die zweite Diffusion (Zerstäubung) Region so anschließt, daß die sich hin- und herbewegende Platte aufgeladen wird, wenn die Diode voreingenommen aufgehoben wird. Die Erfindung schließt auch die elektronischen Systeme ein, die Roman TFT-gegründete NVRAM Vorrichtungen enthalten.
