A high voltage insulated gate field-effect transistor includes an insulated
gate field-effect device structure having a source and a drain, the drain
being formed with an extended well region having one or more buried layers
of opposite conduction type sandwiched therein. The one or more buried
layers create an associated plurality of parallel JFET conduction channels
in the extended portion of the well region. The parallel JFET conduction
channels provide the HVFET with a low on-state resistance.
Μια μονωμένη υψηλή τάση field-effect πυλών κρυσταλλολυχνία περιλαμβάνει μια μονωμένη field-effect πυλών δομή συσκευών που έχει μια πηγή και έναν αγωγό, ο αγωγός που διαμορφώνονται με μια εκτεταμένη καλά περιοχή που έχει ένα ή περισσότερα θαμμένα στρώματα του αντίθετου τύπου διεξαγωγής που στριμώχνεται εκεί μέσα. Τα ένα ή περισσότερα θαμμένα στρώματα δημιουργούν μια σχετική πολλαπλότητα των παράλληλων καναλιών διεξαγωγής JFET στην εκτεταμένη μερίδα της περιοχής φρεατίων. Τα παράλληλα κανάλια διεξαγωγής JFET παρέχουν στο HVFET μια χαμηλή-ΚΡΑΤΙΚΉ αντίσταση.
